Unlock Icon Разблокируйте эксклюзивные сбережения! Войдите или зарегистрируйтесь сейчас, чтобы получить доступ к лучшим ценам.
help desk software
Image is representational - see mfr. specs

MJD112-1G

onsemi

2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

+ see all

Технический паспорт АКСЕССУАРЫ Notify Me

RoHS Compliant
Tube Упаковка
Certificate of Compliance Guarantee
Описание +
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Search Keywords: MJD1121G
спецификация +
  • Product Attribute
    Attribute Value Select Attribute
  • поставщик:
    onsemi
  • Артикул / №:
    MJD112-1G
  • Единица измерения:
    Per Each
  • RoHS:
    Yes
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    CN
  • ECCN:
    EAR99
  • Supplier Standard Pack This information is provided for customers who prefer to buy in multiples of the Manufacturer’s Standard Package quantity. Minimum Order Quantities and Required Order Multiples are presented with our price and availability information.
    75
  • Dimension:
    6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
  • Family:
    MJD112
  • Maximum Collector Emitter Voltage:
    100 V
  • Maximum Base Emitter Saturation Voltage:
    4@40mA@4A V
  • Maximum Collector Base Voltage:
    100 V
  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:
    2@8mA@2A,3@40mA@4A V
Tools/3D Models +
Price Match Guarantee
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
на складе: 100
Возможна немедленная отправка
Минимальный заказ:
75
многократный:
75
12 Weeks Можно отправить 2.14.25
Добавить в корзину
КОЛ-ВО
Unit Price
75
$0.4461
300
$0.4283
1 050
$0.4068
2 550
$0.3876
5 025
$0.3818
7 500
$0.3760
10 050
$0.3704
15 000 +
$0.3648
Click for Quote
Авторизоваться чтобы разблокировать специальные цены
Item may be subject to tariff fee if shipping within the United States