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Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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説明 +
Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Search Keywords: APT80GA60B
仕様 +
  • Product Attribute
    Attribute Value Select Attribute
  • サプライヤー:
    Microchip Technology
  • 部品番号:
    APT80GA60B
  • 測定単位:
    Per Each
  • RoHS:
    Yes
  • HTS:
    8541290095
  • ECCN:
    EAR99
  • サプライヤー標準パック This information is provided for customers who prefer to buy in multiples of the Manufacturer’s Standard Package quantity. Minimum Order Quantities and Required Order Multiples are presented with our price and availability information.
    1
  • Maximum Gate Emitter Leakage Current:
    0.1 uA
  • Maximum Collector-Emitter Voltage:
    600 V
  • Maximum Power Dissipation:
    625000 mW
  • Channel Type:
    N6974
  • Dimension:
    16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
  • Configuration:
    Single6975
  • Maximum Gate Emitter Voltage:
    ±30 V
  • Family:
    APT80GA60B
  • Maximum Continuous Collector Current:
    143 A
Tools/3D Models +
リソース +
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