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Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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RoHS遵守
TUBE 包装
Certificate of Compliance Guarantee
説明 +
Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Search Keywords: APT75GN60BG
仕様 +
  • Product Attribute
    Attribute Value Select Attribute
  • サプライヤー:
    Microchip Technology
  • 部品番号:
    APT75GN60BG
  • 測定単位:
    Per Each
  • RoHS:
    Yes
  • HTS:
    8541290095
  • ECCN:
    EAR99
  • サプライヤー標準パック This information is provided for customers who prefer to buy in multiples of the Manufacturer’s Standard Package quantity. Minimum Order Quantities and Required Order Multiples are presented with our price and availability information.
    1
  • Maximum Gate Emitter Leakage Current:
    0.6 uA
  • Configuration:
    Single6975
  • Maximum Power Dissipation:
    536000 mW
  • Maximum Gate Emitter Voltage:
    ±30 V
  • Maximum Continuous Collector Current:
    155 A
  • Dimension:
    16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
  • Channel Type:
    N6974
  • Maximum Collector-Emitter Voltage:
    600 V
  • Family:
    APT75GN60B
Tools/3D Models +
リソース +
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