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APT13GP120BDQ1G by microchip technology
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APT13GP120BDQ1G

Microchip Technology

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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RoHS遵守
TUBE 包装
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説明 +
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Search Keywords: APT13GP120BDQ1G
仕様 +
  • Product Attribute
    Attribute Value Select Attribute
  • サプライヤー:
    Microchip Technology
  • 部品番号:
    APT13GP120BDQ1G
  • 測定単位:
    Per Each
  • RoHS:
    Yes
  • HTS:
    8541290095
  • ECCN:
    EAR99
  • サプライヤー標準パック This information is provided for customers who prefer to buy in multiples of the Manufacturer’s Standard Package quantity. Minimum Order Quantities and Required Order Multiples are presented with our price and availability information.
    1
  • Maximum Collector-Emitter Voltage:
    1200 V
  • Maximum Gate Emitter Voltage:
    ±20 V
  • Maximum Gate Emitter Leakage Current:
    0.1 uA
  • Channel Type:
    N6974
  • Dimension:
    16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
  • Maximum Power Dissipation:
    250000 mW
  • Configuration:
    Single6975
  • Family:
    APT13GP120BDQ1
  • Maximum Continuous Collector Current:
    41 A
Tools/3D Models +
リソース +
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