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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 625 mW Through Hole TO-92-3
Search Keywords: PN3567
spécification +
  • Product Attribute
    Attribute Value Select Attribute
  • fournisseur:
    National Semiconductor
  • Référence:
    PN3567
  • Unité de mesure:
    Per Each
  • RoHS:
    Yes
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