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2N5551BU

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Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

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Descripción +
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Palabras clave de búsqueda: 2N5551BU
Especificaciones +
  • Atributo del producto
    Valor de atributo Seleccionar atributo
  • Proveedor:
    onsemi
  • Nº de pieza:
    2N5551BU
  • Unidad de medida:
    Por Each
  • RoHS:
    No
  • HTS:
    8541.21.0095
  • COO:
    CN
  • ECCN:
    EAR99
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